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元件参数资料
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参数目录36272
> MPSW51G TRANS PNP GP BIPO 1W 30V TO-92
型号:
MPSW51G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS PNP GP BIPO 1W 30V TO-92
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MPSW51G PDF
标准包装
5,000
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
700mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
60 @ 100mA,1V
功率 - 最大
1W
频率 - 转换
50MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3 长体
供应商设备封装
TO-92
包装
散装
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